Huasheng S1 საფარი: გარღვევა მიკრო ხელსაწყოებისთვის წვეთებისგან თავისუფალი, მაღალი დარტყმისგან დაცვის სფეროში

ზუსტი წარმოების ისეთ სფეროებში, როგორიცაა 5G კომუნიკაცია, აერონავტიკა და სამედიცინო მოწყობილობებიმიკროდიამეტრის საჭრელი ხელსაწყოები გადამწყვეტ როლს თამაშობენ ულტრამაღალი დამუშავების სიზუსტის მიღწევაში. თუმცა, ტრადიციული საფარი ხშირად სირთულეებს განიცდის წვეთების დეფექტები, ადჰეზიის პრობლემები და დარტყმისადმი დაბალი წინააღმდეგობა, რაც ზღუდავს ხელსაწყოს მუშაობას და პროდუქტის მოსავლიანობას.

ჰუაშენგი ნანოტექნოლოგია S1 საფარიგთავაზობთ რევოლუციურ გადაწყვეტას. შემუშავებულია ინტეგრირებული კათოდური და HIPIMS ტექნოლოგია, S1 საფარი აღწევს წვეთებისგან თავისუფალი, ულტრამკვრივი ზედაპირიწვეთის ზომით, რომელიც კონტროლდება 1 μm-ზე ნაკლებით და სამუშაო ტემპერატურით 1200 °C-ზე მეტი. ეს უზრუნველყოფს კიდის ერთგვაროვან დაცვას და ხელს უშლის საფარის დაზიანებას მაღალსიჩქარიანი ჭრის პირობებშიც კი.

მოწინავე TiAlN/TiSiN კომპოზიტური სტრუქტურაზრდის სიმტკიცეს მდე 40 GPA, ხოლო მისი ინტერფეისის მოცურების მექანიზმი შთანთქავს დარტყმის ენერგიას, რაც 42%-ით აუმჯობესებს ბზარებისადმი მდგრადობას. Si ელემენტის დოპინგაუმჯობესებს მარცვლის ზომას და ამცირებს ხახუნის კოეფიციენტს 0.18-ზე დაბლა, რაც უზრუნველყოფს შესანიშნავ ანტი-ადჰეზია და ცვეთამედეგობაძნელად დასამუშავებელი მასალებისთვის, როგორიცაა ტიტანის შენადნობები და გამაგრებული ფოლადები.

ზედაპირის უხეშობით Ra ≤ 0.03 მკმ, S1 უზრუნველყოფს ნატეხების უფრო გლუვ დინებას, უფრო მაღალ განზომილებიან სიზუსტეს და ხელსაწყოს მნიშვნელოვნად ხანგრძლივ მომსახურების ვადას - 30%-ით მეტს, ვიდრე შესადარებელი საფარი.

ჰუაშენგის ნანოტექნოლოგიააგრძელებს S1 პლატფორმის გაფართოებას მორგებული საფარის გადაწყვეტილებებისხვადასხვა დამუშავების მასალებისა და ინტელექტუალური წარმოების აპლიკაციებისთვის.

გაეცანით სრულ მონაცემებს შესრულების შესახებ და შემთხვევის კვლევებს —
ჩამოტვირთეთ S1 საფარის ტექნიკური ანგარიშის სრული ვერსია (PDF)რეგისტრაციის შემდეგ.

ჩამოტვირთვა