ალდ ატომური ფენის დეპონირება (ALD)
ატომური ფენის დეპონირება თხელი ფენის დეპონირების პროცესია, რომელიც დაფუძნებულია თანმიმდევრულ, თვითშეზღუდულ ზედაპირულ რეაქციებზე. პრეკურსორების და რეაგენტების ცალკეული ექსპოზიციები, მათ შორის გაწმენდის ეტაპებით, განმეორებითი ციკლების მეშვეობით ქმნის ფენებს.
ALD თხელი ფირები გამოიყენება ნახევარგამტარულ აპლიკაციებში, როგორიცაა მაღალი k დიელექტრიკები, ზედაპირის პასივაცია და დიფუზიური ბარიერები. ALD საფარი ასევე შეიძლება უზრუნველყოფდეს დამცავ ბარიერულ ფენებს აღჭურვილობის შერჩეული კომპონენტებისთვის. ფირის მასალა, გეომეტრია და მომსახურების პირობები განსაზღვრავს შესაბამის პროცესს.
დამატებითი დამატება Diamond-Like Carbon (DLC)
DLC საფარი უზრუნველყოფს დაბალი ხახუნის, ცვეთამედეგ ზედაპირებს ზუსტი ნახევარგამტარული აღჭურვილობის კომპონენტებისთვის. გამოყენება მოიცავს ლილვებს, ქინძისთავებს, სახელოებს და მოცურების ნაწილებს.
საფარის შერჩევისას გათვალისწინებულია კონტაქტის პირობები, სუბსტრატის მასალა, ზედაპირის დასრულება, განზომილებიანი ტოლერანტობა და სამუშაო ტემპერატურა. კომპონენტები, რომლებიც ზემოქმედებენ ტექნოლოგიურ ქიმიკატებზე ან პლაზმაზე, საჭიროებენ თავსებადობის დამატებით შეფასებას.
არის C ტეტრაედრული ამორფული ნახშირბადი (ta-C)
ta-C არის მყარი ნახშირბადის საფარი, რომელიც გამოიყენება კომპონენტებისთვის, რომლებიც მოითხოვენ მაღალ ცვეთამედეგობას და კონტროლირებად ზედაპირის თვისებებს. მას შეუძლია უზრუნველყოს მომთხოვნი, ზუსტი კონტაქტის აპლიკაციები, სადაც სუბსტრატის საყრდენი და საფარის ადჰეზია შესაფერისია.
ta-C ხსნარის არჩევისას გათვალისწინებული უნდა იყოს საფარის სისქე, ნარჩენი დაძაბულობა, ზედაპირის დასრულება და კომპონენტის გეომეტრია.